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ALD/PEALD原子层沉积

NLD-4000是一款独立式计算机控制的ALD系统,全自动工艺控制并包含完整的安全连锁功能,能够沉积半导体应用中的氧化物和氮化物(比如AlN, GaN, TaN, TiN, Al2O3, ZrO2, LaO2, HfO2),支持太阳能和MEMS等众多领域的应用。
 
系统包含一个13”的铝质反应腔体,具有加热腔壁和气动升降顶盖,可一键式实现顶盖的开启/闭合,便于放取片。随系统配套手套箱,可以支持最多七路加热或冷却的50cc容器用于前驱体或者反应物,并集成了快速脉冲传输阀用于气体脉冲输出。没有反应掉的前驱体将被加热过滤器所捕捉,该过滤器安装在腔体排风口。
 
工艺程序、温度设定值、气体流量、抽真空卸真空工序,以及传输管路的吹扫均通过LabView软件全自动控制。
 
选配项包含自动上下片(系统占地面积不变)、远程平面ICP等离子源用于等离子增强ALD(平面ICP的构造确保小的反应腔体容积,这实现更快的循环时间),以及涡轮分子泵用于更低的极限真空。

  • 特点
  • 选配
  • 应用
** 低于1Å的均匀度 ** 优化的13”阳极氧化铝腔体 ** 小反应腔体容积确保快速的循环时间并提高产能 ** 最大可支持8”的基片 ** 400°C基片加热器 ** 随系统配套前驱体手套箱 ** 做多支持七路50cc前驱体容器 ** 300L/Sec抽速的磁悬浮分子泵组 ** 极限真空可达5x10-7Torr ** 快速脉冲气体传输阀 ** 大面积过滤器用于捕捉未反应的前驱体 ** 高深宽比结构的涂覆 ** 全自动计算机控制,菜单驱动 ** LabVIEW友好用户界面 ** EMO和安全互锁 ** 占地面积仅24”x44”带封闭面板的柜体对超净间很理想