产品快速入口：
下载产品资料DRIE系统/ICP系统
NANO-MASTER那诺-马斯特DRIE深反应离子刻蚀系统以及ICP电感耦合等离子刻蚀系统，集成了可产生高密度等离子的平面ICP离子源。我们的系统能够兼容Cryo刻蚀和Bosch工艺，可以在晶圆片上产生高深宽比的深穿透、陡峭的孔或槽。
我们的ICP源为全球独家的带淋浴头气流分布的平面ICP源，具有占空比小，电子温度低，离子密度高的优势。从而使得我们的DRIE深反应离子刻蚀系统以及ICP电感耦合等离子刻蚀系统具有快速的气体切换（更短的工艺周期更快的速度），低损伤刻蚀，以及高效刻蚀的能力。
对于DRIE深反应刻蚀系统（或称为深硅刻蚀系统），我们可以提供独家开发的NANO-MASTER深冷刻蚀工艺，可以实现50：1的高深宽比的刻蚀，并且达到最佳的侧壁陡直度和光滑度。
对于ICP电感耦合等离子刻蚀系统我们可以支持终点检测功能，系统可以支持RIE刻蚀模式和ICP刻蚀模式两种应用。具有广泛的应用。另外通过配套自动单片Load/Unload或者Cassette-to-Cassette，可以达到更快的刻蚀效率，用于支持生产使用。
- 特点
- 选配
- 应用
** NM-ICP下游式高密度淋浴头平面等离子源
** 具有低损伤高速率低占空比的优势
** 兼容Bosch和Cryo刻蚀工艺
** 13”硬质阳极氧化铝腔体
** 优化小容积腔体确保气体高传导率及短时间工序
** 带背氦冷却的机械托盘
** 1KW射频电源带自动调谐器，用于ICP源
** 600W射频电源带自动调谐器，用于样品台偏压
** 用于低刻蚀速率应用的RIE模式
** 基于计算机的全自动工艺或手动驱动控制系统
** 具有高度的可重复性
** 先进的用户交互界面
** EMO和安全互锁